氧化鋅薄膜是一種具有優秀的壓電、光電、氣敏、壓敏等性質的資料。氧化鋅薄膜的製備方法多樣，薄膜的性質取決於不同的摻雜組分，並與製備工藝緊密相關。簡述了氧化鋅薄膜的製備方法與根本性質與使用，剖析了氧化鋅薄膜研討、使用與開發現狀，展望了產業化發展前景。
　　氧化鋅(氧化鋅)薄膜是一種具有廣泛用處的資料，其功能隨摻雜組分和製備條件的不同而改動。長期以來，對氧化鋅薄膜的研討首要會集在壓電性、透明導電性、光電性、氣敏性、壓敏性等方麵。人們用氧化鋅薄膜做成了聲表麵波諧振器、壓電器件、太陽電池透明電極和增透膜、液晶顯示器透明電極、氣敏濕敏傳感器等，在諸多範疇得到了很好的使用。近年來，跟著薄膜製備技能的發展，氧化鋅的P型摻雜和PN結製造，使用氧化鋅製造紫外半導體激光器，氧化鋅薄膜光泵浦紫外受激發射的研討成為新式的前沿課題。本文對氧化鋅薄膜的結構、根本性質、最新製備技能及開發使用研討進行了總述，並對該資料的發展趨勢進行了討論。
　　氧化鋅薄膜的晶格結構：

　　優質的氧化鋅薄膜具有C軸擇優取向成長的很多晶粒，每個晶粒都是成長傑出的六角形纖鋅礦結構。依照一般的晶體學模型，氧化鋅晶體是由氧的六角密堆積和鋅的六角密堆積反向嵌套而成的，晶格常數a=0.325nm，c=0.521nm，配位數為4:4，每一個鋅原子都坐落4個相鄰的氧原子所構成的四麵體空隙中，但隻占其間對折的氧四麵體空隙，氧原子的擺放狀況與鋅原子相同。單位晶格中含有兩個分子，體積v=0.047615nm，。因而這種結構比較敞開，空隙原子的構成焙比較低，半徑較小的組成原子簡單變成空隙原子，如氧化鋅中Zn的濃度比較高。化學計量比的氧化鋅為寬帶隙半導體，禁帶寬度約3.3eV，本征氧化鋅薄膜的電阻率高於106 Ω·cm改動成長、摻雜或退火條件，可構成簡並半導體，導電功能大幅度進步，電阻率可降低到10-4 Ω·cm數量級。